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　　在2016中國(guó)平板顯示學(xué)術(shù)大會(huì)的新型顯示及觸控技術(shù)的分論壇上，武漢華星光電技術(shù)有限公司程艷帶來(lái)了題為《微晶粒發(fā)光二級(jí)體技術(shù)現(xiàn)狀與未來(lái)展望》的演講，以下為演講文字實(shí)錄：

　　上午熊貓平板顯示崔老師已經(jīng)做了一個(gè)詳細(xì)的介紹，我這邊做一個(gè)補(bǔ)充。Micro LED技術(shù)：LED微縮化和矩陣化技術(shù)，在一個(gè)晶片上集成的高密度微小尺寸的LED陣列。我們主要講第三種的形勢(shì)，我們比較一下Micro LED有快的速度和對(duì)比對(duì)，當(dāng)然它也在一些OLED上有一些很好的優(yōu)勢(shì)，我這里面沒(méi)有列出來(lái)的是壽命，OLED在亮度上面已經(jīng)努力的突破，想要達(dá)到液晶OLED的狀態(tài)，是Micro LED確實(shí)超越了OLED。Micro LED都可以作為主動(dòng)式的發(fā)放來(lái)進(jìn)行，上頁(yè)P(yáng)PT里的第三項(xiàng)技術(shù)，主要有兩大類，第一類其實(shí)是在LED在微縮的過(guò)程當(dāng)中，直接有一個(gè)隔絕層，直接完成TFT的工藝，這個(gè)目前僅僅處于一個(gè)（POP）階段。Micro LED的優(yōu)點(diǎn)，它的的響應(yīng)速度快，主要是跟它表面這樣一個(gè)效率有關(guān)，我們看一下右邊的圖片，它是來(lái)自于APL的集團(tuán)，這個(gè)集團(tuán)里有報(bào)道過(guò)，LED的尺寸越小用的時(shí)間越小。和大尺寸LED相比，越小越接近于系統(tǒng)的時(shí)間，還有B和C的兩個(gè)優(yōu)勢(shì)，都是在是它的一個(gè)光效，這兩個(gè)方面都是它的一個(gè)優(yōu)勢(shì)，我們來(lái)看一下第二項(xiàng)，這樣的一個(gè)結(jié)果主要是它的光的路徑導(dǎo)致的。最后主要是它集中在更穩(wěn)定的集中性，一方面是它的溫度，這樣一個(gè)小尺寸，它的一個(gè)（結(jié)溫）就更小。最后一項(xiàng)數(shù)據(jù)可以看出，300和40相比，300是有一個(gè)遷移，40主要是10納米的遷移。唯一的一個(gè)缺點(diǎn)就是目前來(lái)看它的光電轉(zhuǎn)化效率比較小，光的輻射比電功率×電子注入，跟電阻有關(guān)。

　　Micro LED 的核心技術(shù)是nm級(jí)LED的轉(zhuǎn)運(yùn)與full color實(shí)現(xiàn)，而不是制作LED這個(gè)技術(shù)本身。

　　晶格匹配：LED 元件---藍(lán)寶石類的基板上通過(guò)MBE生長(zhǎng)；顯示器---必須要把LED發(fā)光元件轉(zhuǎn)移到玻璃基板上；

　　尺寸等級(jí)：藍(lán)寶石基板尺寸---硅晶元的尺寸，制作顯示器---尺寸大得多的玻璃基板；

　　多次轉(zhuǎn)運(yùn)：微元件的多次轉(zhuǎn)運(yùn)技術(shù)難度高，在追求高精度顯示器的產(chǎn)品上難度更大。

　　通過(guò)此前蘋(píng)果收購(gòu)Luxvue 后公布的獲取專利名單看出，大多采用電學(xué)方式完成轉(zhuǎn)運(yùn)過(guò)程，這是Luxvue 的關(guān)鍵核心技術(shù)。

　　Micro LED技術(shù)比較：

　　制程方式：均屬于微轉(zhuǎn)印制程（micro-Transfer），差別主要在于轉(zhuǎn)印部件設(shè)計(jì)方式的不同，進(jìn)而所運(yùn)用的制程原理亦略微有些差異；

　　制程難點(diǎn)：目前Wafer工藝與TFT工藝已屬成熟，該制程的難點(diǎn)集中在轉(zhuǎn)移過(guò)程，尺寸越小，pixel就越小，需轉(zhuǎn)移LED越小，技術(shù)難點(diǎn)越大；

　　我們這種三色除了LED，還有其他的兩種，也是有一定難度的，熒光粉技術(shù)屬于無(wú)機(jī)鹽類的晶體，傳統(tǒng)就是LED所用到的，這種它的顆粒相較于傳統(tǒng)的熒光粉會(huì)更小。這種納米級(jí)的熒光粉，其中和尺寸上面還有一個(gè)相對(duì)比的，光電轉(zhuǎn)化效率是比較高的，在這里主要用的廣質(zhì)發(fā)光。最后一項(xiàng)是有機(jī)的發(fā)光體，主要是跟上面相比較，也是存在一些發(fā)光效率和優(yōu)勢(shì)，這幾種相比較，目前市面上做比較多工作是有在量子點(diǎn)上面做一些工作。

　　Micro LED的成功發(fā)展歸根結(jié)底在于以下方面：

　　1、蘋(píng)果、三星等品牌廠的意愿；

　　2、在制程上，要克服晶片轉(zhuǎn)運(yùn)技術(shù)門(mén)檻，一次搬運(yùn)數(shù)百萬(wàn)顆超小LED晶片；

　　3、全彩化、良率、發(fā)光波長(zhǎng)一致性問(wèn)題？

　　單色Micro LED 陣列通過(guò)倒裝結(jié)構(gòu)封裝和驅(qū)動(dòng)IC 貼合就可以實(shí)現(xiàn)，而RGB 陣列需要分次轉(zhuǎn)貼紅、藍(lán)、綠三色的chip，需要嵌入幾百萬(wàn)顆LED chip,對(duì)于LED chip光效、波長(zhǎng)的一致性、良率要求更高。

　　4、分bin和成百上千萬(wàn)的u-LED的成本支出也是阻礙量產(chǎn)的技術(shù)瓶頸。

　　以上是我的一個(gè)淺顯的分析。