與ITO功函數(shù)的整合至關重要
iOLED的研究中最大的課題是，開發(fā)合適的EIL材料。把ITO作為透明陰極使用時，一般來說從ITO向有機層直接注入電子非常困難。這是因為，ITO功函數(shù)的值與接收有機層電子的能級——最低未占軌道（LUMO）之間的能差較大。ITO的功函數(shù)約為5eV，而普通OLED元件用電子運輸材料的LUMO能量約為3eV，因此表面存在約2eV的電子注入勢壘。
普通OLED是從ITO向HTL注入空穴，這種情況下，接收HTL空穴的能級——最高占有軌道（HOMO）的能量約為5.5eV的材料較多，與ITO功函數(shù)的能差較小。
如上所述，要想從ITO高效向有機層直接注入電子，需要合適的EIL。為尋找這種EIL材料，我們準備了多種EIL材料，評測了iOLED對各材料的特性差異。結果發(fā)現(xiàn)了適合iOLED的EIL材料，成功開發(fā)出了發(fā)光效率與普通OLED相同的iOLED。另外，對報告案例還比較少的iOLED的大氣穩(wěn)定性也進行了評測。而且試制了采用iOLED的顯示器。
特性隨EIL變化
圖5是改變EIL材料時的iOLED特性。采用EIL I～III的iOLED分別為iOLED-I～III。發(fā)光材料采用發(fā)紅色光的磷光材料Ir（piq）3。
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圖5：iOLED的特性隨著EIL的選擇而變化
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